(Bursa Uludağ Üniversitesi, 2019-03-18) Kaplan, Hüseyin Kaan; Akay, Sertan Kemal; Fen Bilimleri Enstitüsü; Fizik Bölümü
ZnSe/Si Heteroeklem yapı, n-tipi silisyum (Si) alttaş üzerine çinko selenit (ZnSe) ince filmin termal buharlaşma tekniği kullanılarak kaplanmasıyla üretilmiştir. Üretilen filmin yapısal, elektriksel ve optik özellikleri, x-ışınları kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve UV-vis spektrofotometre yardımıyla incelenmiştir. XRD ve SEM analizleri ZnSe ince filmin Si alttaş üzerini kaplayacak şekilde ve poli kristal yapıda olduğunu göstermektedir. ZnSe ince filmin Zn – Se elemental kompozisyonunun belirlenmesi için 5 farklı bölgede EDX analizi gerçekleştirilmiştir. Yasak enerji bant aralığı yaklaşıkça 2,86 eV olarak hesaplandı. Üretilen yapının elektriksel parametreleri hem standart yöntem hem de Cheung-Cheung yöntemiyle elde edildi. Akım – voltaj ölçümlerinden bariyer yüksekliği, idealite faktörü ve seri direnç değerleri belirlendi. Ayrıca, heteroeklem yapının dalga boyuna bağlı foto tepki ölçümleri gerçekleştirildi.
